◆  設(shè)備用途等離子體增強化學(xué)氣相淀積（簡稱PECVD），主要用途是在硅片表面淀積一層減反射氮化硅膜（SixNy），同時利用在淀積過程中產(chǎn)生的活性H+離子，對硅片表面和內(nèi)部進行鈍化處理。在體現(xiàn)減少光反射的同時，也提高了硅片的少子壽命，最終直接體現(xiàn)在晶體硅電池的轉(zhuǎn)換效率。該設(shè)備為國內(nèi)唯一的第四代PECVD設(shè)備，綜合性能媲美國際一流產(chǎn)品，其超越同行的實際成膜均勻性，大大減少了上代設(shè)備的色差現(xiàn)象，尤其適用于多晶電池片的工藝生產(chǎn)。◆  產(chǎn)品亮點1、單管產(chǎn)能全球率先達到280片（125方片）2、業(yè)內(nèi)獨有、領(lǐng)先的壓控/溫控技術(shù)，最成熟的工藝支持3、國產(chǎn)設(shè)備中唯一可媲美世界一流設(shè)備的成膜均勻性和表面色差4、設(shè)備有效工作時間較其他國產(chǎn)設(shè)備高5%以上5、自動上下舟系統(tǒng)中國內(nèi)唯一采用進口精密直線單元<!--[if !supportLists]-->◆      <!--[endif]-->主要技術(shù)參數(shù)

序號	指 標(biāo) 項 目	指  標(biāo)  值
1	成膜種類	氮化硅
2	裝片尺寸	□125mm，□156mm
3	裝片量	352片/批（□125mm），308片/批（□156mm）
4	送舟方式	軟著陸
5	膜厚均勻性	片內(nèi)≤±4% 片間≤±4% 批間≤±3%（膜厚目標(biāo)值75nm）
6	折射率	2.0~2.1
7	工作溫度范圍	100~500℃
8	控溫段數(shù)	５段
9	升溫方式	自動斜率升溫及快速恒溫功能
10	恒溫區(qū)精度及長度	±2℃/1200mm（500℃）
11	單點溫度穩(wěn)定度	＜±1℃/4h（500℃）
12	升溫時間	RT→450℃≤45min
13	溫度控制	雙模控制
14	系統(tǒng)極限真空度	<1Pa
15	工藝壓力范圍	80 Pa~320Pa
16	恢復(fù)真空時間	AP→10 Pa＜5min
17	系統(tǒng)漏氣率	停泵關(guān)閥后壓力升率＜0.5Pa /min.
18	壓力控制方式	快速調(diào)整全自動閉環(huán)
19	爐門密封方式	柔性自適應(yīng)密封
20	工藝控制方式	工藝過程全自動控制,多重安全連鎖報警
21	人機交互界面	LCD顯示、觸摸操作、工藝編輯、在線監(jiān)控、權(quán)限管理、班組管理、組網(wǎng)功能
22	送料方式	自動上下舟
23	外形尺寸	6650×2040×3580（L×W×H，mm，四管）