HPE400系列PECVD

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◆  設備用途等離子體增強化學氣相淀積（簡稱PECVD），主要用途是在硅片表面淀積一層減反射氮化硅膜（SixNy），同時利用在淀積過程中產生的活性H+離子，對硅片表面和內部進行鈍化處理。在體現減少光反射的同時，也提高了硅片的少子壽命，最終直接體現在晶體硅電池的轉換效率。該設備為國內唯一的第四代PECVD設備，綜合性能媲美國際一流產品，其超越同行的實際成膜均勻性，大大減少了上代設備的色差現象，尤其適用于多晶電池片的工藝生產。◆  產品亮點1、單管產能全球率先達到280片（125方片）2、業內獨有、領先的壓控/溫控技術，最成熟的工藝支持3、國產設備中唯一可媲美世界一流設備的成膜均勻性和表面色差4、設備有效工作時間較其他國產設備高5%以上5、自動上下舟系統中國內唯一采用進口精密直線單元<!--[if !supportLists]-->◆      <!--[endif]-->主要技術參數

序號	指 標 項 目	指  標  值
1	成膜種類	氮化硅
2	裝片尺寸	□125mm，□156mm
3	裝片量	352片/批（□125mm），308片/批（□156mm）
4	送舟方式	軟著陸
5	膜厚均勻性	片內≤±4% 片間≤±4% 批間≤±3%（膜厚目標值75nm）
6	折射率	2.0~2.1
7	工作溫度范圍	100~500℃
8	控溫段數	５段
9	升溫方式	自動斜率升溫及快速恒溫功能
10	恒溫區精度及長度	±2℃/1200mm（500℃）
11	單點溫度穩定度	＜±1℃/4h（500℃）
12	升溫時間	RT→450℃≤45min
13	溫度控制	雙模控制
14	系統極限真空度	<1Pa
15	工藝壓力范圍	80 Pa~320Pa
16	恢復真空時間	AP→10 Pa＜5min
17	系統漏氣率	停泵關閥后壓力升率＜0.5Pa /min.
18	壓力控制方式	快速調整全自動閉環
19	爐門密封方式	柔性自適應密封
20	工藝控制方式	工藝過程全自動控制,多重安全連鎖報警
21	人機交互界面	LCD顯示、觸摸操作、工藝編輯、在線監控、權限管理、班組管理、組網功能
22	送料方式	自動上下舟
23	外形尺寸	6650×2040×3580（L×W×H，mm，四管）