熱解氮化硼（PBN）坩堝

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概述
       熱解氮化硼（PBN）是種特種陶瓷材料，在特殊設備上用化學氣相沉積的工藝制得，熱解氮化硼的沉積過程宛如“落雪”，氮化硼的六角形小雪片，一片一片的平行的落在石墨基體材料上，達到一定厚度后最終冷卻脫模而成。
主要參數

性能		単位	數值
晶格常數		μｍ	a:2.504×10-10c:6.692×10-10
表觀密度		g/cm3	2.0~2.19
顯微硬度(knoop)(ab平面)		N/mm	691.88
體積電阻系數		Ω·cm	3.11×1011
抗張強度（力∥C）		N/mm2	153.86
抗彎強度	力⊥C	N/mm2	243.63
	力⊥C	N/mm2	197.76
彈性模量		N/mm2	235690
熱傳導率		W/m·k	“a”方向 “c”方向
	200℃	W/m·k	60         2.60
	900℃	W/m·k	43.70      2.80
介電強度（室溫）		KV/mm	56

 主要特點●產品顏色在牙白至橙棕、無毒、無孔隙、易加工。●純度高達99.99%,表面致密，氣密性好。●耐高溫，強度隨溫度升高，2200℃時達到最大值。●耐酸、堿、鹽及有機試劑，高溫與絕大多數熔融金屬、半導體材料不潤濕、不反應。●抗熱震性好，熱導性好，熱膨脹系數低。●電阻高，介電強度高，介電常數小，磁損耗角正切低，并具有良好的透微波性和紅外線性能。●在力學、熱學、電學等性能上有著明顯的各向異性。產品應用：坩堝類以及板材類半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物合成用的坩堝，原位合成GaAs、InP、GaP單晶 的LEC系列坩堝。半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物合成用 VGF、VB法系列坩堝。半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物合成用分子束外延用的MBE系列坩堝。晶體合成、金屬熔煉蒸發坩堝等。利用其純度高、絕緣、耐腐蝕等特性，根據客戶需求制造不同規格的絕緣墊板、墊片等，發揮其絕緣作用。行波管用夾持桿。