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一、設備概況
晶體類型：多晶硅
摻雜物：為滿足一定的電阻率要求，加入硼與硅材料混合后實現目標電阻率。
二、技術參數
電學特性
電阻率：0.8Ω.cm～3.0Ω.cm(平均1.5Ω.cm)
少數載流子壽命：>2 µs
導電類型：P型
化學特性
碳含量：<2×1018 cm-3
氧含量：<4×1017 cm-3
尺寸
硅片尺寸：156 mm×156 mm±0.5 mm
125 mm×125 mm±0.5 mm
硅片厚度：200 µm±30 µm
偏差：≤50 µm
弓形：≤60 µm
線痕：≤20 µm
邊緣缺陷：無
其他
硅片表面：切面完整清潔。
污染物：無污垢，油污、皂液、粘合劑的殘留物、指紋等
