手機版|
二維碼|
點擊下圖片即可查看大圖
性能指標
本系統能夠適應多種規格單晶硅片檢測需求，能滿足以下性能指標：
能夠檢測硅片各種缺陷，包括電阻率、厚度、TTV、P/N、線痕、幾何尺寸、臟污、孔洞、隱裂、BOW/WARP，具體檢測項目和測量誤差要求如表1所示；
檢測效率能達到3000片/小時；
能實現自動上下料；
合格標準可設定，以適應區分不同的質量級別；
具備硅片分選功能：客戶可根據需求選擇分選工位的數量，各工位的分選標準可以自定義；
碎片率要求<0.1%；
可以進行數據存儲、統計、分析、查詢及圖表繪制等。配備網絡接口，可以進行測量設備現場聯網統一控制管理。測量結果能夠打印輸出。
表 1 檢測項目和精度
序號 | 不良類型 | 誤差 |
1 | 電阻率 | 5%（0.3-3ohm·cm） |
厚度 | ≤ 1.5μm | |
TTV | ≤ 3μm | |
P/N | 無誤判 | |
BOW/WARP | 根據厚度指標計算 | |
2 | 邊長 | ±0.1mm |
對角線長 | ±0.1mm | |
弦長 | ±0.2mm | |
角度 | ±0.1° | |
3 | 孔洞（包含貫穿和非貫穿） | 可識別直徑大于0.15mm |
裂紋、隱裂 | 可識別寬度×長度：0.015mm×1mm | |
4 | 臟污（包含水痕、指紋、筆油、油污、水漬、蚊蟲、黑點、承載器痕、孿晶、亮線等多種） | 可識別長×寬：0.15mm×0.15mm |
