光伏薄膜系統(tǒng)         使用PVD或CVD 工藝沉積單層膜或多層膜，一般膜層厚度在μm級(jí)或更薄。膜層具有不同的物理和化學(xué)特性，例如：導(dǎo)電性、透明度、半導(dǎo)體特性、擴(kuò)散率、抗磨力、抗化學(xué)性等。

薄膜硅太陽(yáng)能電池      薄膜硅太陽(yáng)能電池是基于非晶硅(a-Si)或微晶硅(μc-Si)。這種太陽(yáng)能電池需要厚度達(dá)2 μm的半導(dǎo)體膜層（吸收層）。該膜層通常在較低的工藝溫度下大面積沉積而成，基材是低成本材料，主要是玻璃，也有金屬帶或聚合物薄膜。為了達(dá)到充足的吸收效果，膜層的厚度需要達(dá)到2 μm。透明導(dǎo)電層TCO（比如：SnO2:F, ZnO:Al）可用作前電極，也可以更多地和金屬膜層組成背電極薄膜體系。（比如：ZnO:Al/Al/NiV）。微晶薄膜太陽(yáng)能電池      微晶薄膜太陽(yáng)能電池在一個(gè)電池里既包含非晶硅，也包含微晶硅，它們屬于所謂的多結(jié)電池，兩個(gè)（疊層電池）或多個(gè)半導(dǎo)體膜層上下交替沉積。在微晶疊層電池中，非晶硅和微晶硅的吸收光譜相互補(bǔ)充，使得更廣范圍的太陽(yáng)輻射光譜被轉(zhuǎn)化為能源產(chǎn)品，從而達(dá)到較高的太陽(yáng)能電池的能效。CIS薄膜太陽(yáng)能電池      CIS薄膜太陽(yáng)能電池是基于由銅、銦、硒及硫-CuIn(Ga)(Se,S)形成一種化合物半導(dǎo)體。 由一個(gè)厚度達(dá)3 μm的p型導(dǎo)電CIS膜層與一個(gè)n型導(dǎo)電CdS緩沖層（50 nm）結(jié)合。通過(guò)在半導(dǎo)體中添加鎵來(lái)顯著提高CIS太陽(yáng)能電池的能效（CIGS電池）。通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射以及后續(xù)的硅烷化工藝可以生產(chǎn)出吸收層。由i- ZnO/ZnO:Al薄膜作為透明的前電極；鉬膜層通常作為背電極。玻璃是常用的基片材料，但也可以使用金屬帶和高分子薄膜作為基片。CdTe薄膜太陽(yáng)能電池      CdTe薄膜太陽(yáng)能電池由一個(gè)透明導(dǎo)電的前電極層、一個(gè)n型導(dǎo)電CdS薄膜層，一個(gè)p型CdTe吸收層以及一個(gè)金屬背電極組成。正如a-Si/µc-Si和CIGS薄膜電池那樣，首選的基片材料是玻璃。但是使用金屬帶和高分子膜作為基材也是可行的。