C32 IGBT緩沖吸收電容器

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C32  IGBT緩沖吸收電容器

型號(hào)	規(guī)格	價(jià)格(元)	尺寸（mm)	引出
C32	1.0vF/1200V	9	Φ27.5*L44	d=1.2

價(jià)格僅供參考，以報(bào)價(jià)單為準(zhǔn)。 主要應(yīng)用/Application廣泛應(yīng)用于UPS、逆變器、感應(yīng)加熱、電焊機(jī)等設(shè)備的IGBT模塊吸收保護(hù)。Widely used in UPS，inverter，induction heaters，welding machine for IGBT snubber protection. 產(chǎn)品特點(diǎn)/Characteristics 電介質(zhì)：聚丙烯薄膜結(jié)構(gòu)：雙面金屬化與金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)封裝：阻燃邁拉膠帶，阻燃（94V-0級(jí)）環(huán)氧封裝引出：鍍錫銅線能承受高脈沖電流，高dv/dt，ESL,ESR小，具有自愈性 Dielectric：Polypropylene filmConstruction：Extended double side metalized carrier film with internal series connection and metalized filmCoating：Polyester tape wrapping with resin sealing.Flame retardant execution（UL94V-0）Terminals：Tinned copper lugsHigh pulse current，high dv/dt, Low ESL and ESR, Self healing 技術(shù)性能/Specifications

引用標(biāo)準(zhǔn)/Reference standards	GB/T 17702 IEC 61071
工作溫度范圍/Operating temperature range	-40℃～85℃
容量范圍/Capacitance	0.022μF～5.6μF
額定電壓/Rated Voltage	700Vdc～3000Vdc
容量偏差/Tolerance	±5% ±10%
極間耐電壓/Test voltage between terminals	1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃
極殼耐電壓/Test voltage between terminals and case	3000V 50Hz 60s，25℃±5℃
損耗角正切/Dissipation factor	tgδ≤6×10-4   at 25℃±5℃，1kHz
絕緣電阻/Insulation resistance	C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s
預(yù)期壽命/Life expectancy	200000h at Ur and 70℃

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