基于銦鎵氮化物（InGaN）多量子阱的應(yīng)變工程，美國密歇根大學(xué)已經(jīng)開發(fā)出單片集成的琥珀-綠-藍色LED。該應(yīng)變工程是通過蝕刻不同直徑的納米柱來實現(xiàn)。
研究人員希望未來能用635nm光致發(fā)光的量子阱生產(chǎn)出紅-綠-藍LED，為基于這種像素LED的微顯示器提供可行的方法。其他潛在應(yīng)用包括照明、生物傳感器和光遺傳學(xué)。
除了美國國家科學(xué)基金會（NSF）的支持外，三星還為制造和設(shè)備設(shè)計提供了支持。研究人員希望開發(fā)出基于現(xiàn)有制造基礎(chǔ)設(shè)施的芯片級多色LED平臺。
外延材料通過金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）在2英寸無圖案藍寶石上生長。發(fā)光有源區(qū)域由5個2.5nm InGaN阱組成，由12nm GaN柵極隔開。電子阻擋層和p-接觸層分別由20nm的氮化鋁鎵(p-Al0.2Ga0.8N)和150nm的p-GaN組成。
使用電子束光刻使納米柱成型，用鎳掩模進行混合干濕法蝕刻處理。大部分蝕刻是干的電感耦合等離子體，濕法蝕刻階段用于實現(xiàn)最終直徑，并且去除干法蝕刻步驟中的損害。蝕刻深度約為300nm。在整個制造過程中，保護蝕刻掩模，目的是為了保護p-GaN表面。
在對50nm氮化硅進行等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）之后，用旋涂式玻璃對結(jié)構(gòu)進行平整，以電隔離n和p-GaN部分。
將平整后的結(jié)構(gòu)進行干式回蝕，以暴露柱的尖端。用硝酸溶液除去鎳掩模材料。 p接觸的鎳/金金屬化在空氣中進行熱退火。
設(shè)備的電氣性能在5V反向偏壓下顯示出每像素約3x10-7A的低泄漏。低泄漏歸因于兩個因素 - 扁平量子阱提供了低電流擁擠效應(yīng)，以及由應(yīng)變引發(fā)的載流子到納米柱中心的限制。在較窄的納米柱中由于更大的電流密度造成的下降效應(yīng)的風(fēng)險，可通過減小應(yīng)變進行改善，因此降低了由于III-氮化物中化學(xué)鍵的電荷極化引起的電場而出現(xiàn)的量子限制“斯塔克效應(yīng)”。
像素由具有不同直徑、發(fā)出不同顏色的柱構(gòu)成。隨著直徑的增加，波長變長，變化更大。研究人員將變化歸因于晶圓上量子阱厚度的變化。
隨著電壓和電流注入的增加，越來越寬松的窄納米管也顯示較少的波長藍移。 800nm直徑納米柱像素的藍移在2.8V和4V之間為40nm。這歸功于研究團隊篩選阱中依賴于應(yīng)變的壓電場。
該團隊通過脈沖頻率調(diào)制固定偏置電壓及改變強度，因此來穩(wěn)定像素的輸出波長。通過這個試驗表明，所有像素類型給出了穩(wěn)定的波長和相對電致發(fā)光強度，其與脈沖信號的占空比呈現(xiàn)幾乎線性地變化。脈沖寬度為400μs。 脈沖頻率在200Hz和2000Hz之間變化。
